[IT 동향] 삼성전자 "V낸드 기술 자신감... 더블스택 기술 우의 가질 것"

<삼성전자 6세대 V낸드 탑재된 SSD <사진=삼성전자>>

 

 

삼성전자가 차세대 낸드플래시와 D램에서 차별화한 기술로 시장을 선도하겠다고 밝혔다.

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삼성전자는 30일 투자자를 대상으로 '인베스터 포럼 2020'을 개최하고 차세대 메모리 기술을 설명했다.

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한진만 삼성전자 전무는 '코로나19 시대에 대응하는 삼성전자 전략과 메모리 시장 예상'이라는 주제 발표에서 7세대 낸드플래시가 '더블스택' 기술로 제작될 것이라고 밝혔다.

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더블스택은 적층된 저장 공간의 층 간 전기적 연결을 돕는 '채널 홀'을 두 번에 나눠 뚫는 작업을 뜻한다. 삼성전자는 그동안 채널 홀을 한 번에 뚫는 싱글스택 기술을 사용해 왔다.

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<삼성전자가 낸드플래시 더블스택 기술을 언급했다. <자료=삼성전자>>

 

한 전무는 "6세대에서 활용한 고난도 싱글스택 기술을 7세대 V낸드에 도입할 계획"이라면서 "더블스택이지만 생산성을 극대화한 공정을 구현할 것"이라고 강조했다.

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한 전무는 더블스택 기술이 기존 대비 공정 수 증가로 단가가 최소 10% 오른다면서도 "평범한 더블스택 기술이 아닐 것"이라고 강조했다. 같은 더블스택이라 해도 타사와는 확실한 차이점이 있다는 설명이다. 한 전무는 "지금까지 삼성이 구현한 낸드플래시의 높이는 경쟁사 대비 낮아 기술 경쟁력이 있다"고 덧붙였다.

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낸드플래시는 저장 공간을 아파트처럼 세로로 쌓아 올린 칩이기 때문에 적층 수를 높이면서 칩의 높이는 낮추는 기술이 핵심이다.

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<삼성전자에서 밝힌 타사 대비 낸드플래시 높이 비교. <자료=삼성전자>>

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한 전무는 "삼성전자의 92단 TLC 낸드보다 경쟁사 세 곳의 96단 트리플레벨셀(TLC) 낸드가 최대 30% 높다"면서 "삼성전자가 갖춘 최고의 셀 설계, 적층 기술로 차별화한 가격 경쟁력을 구현할 것"이라고 전했다.

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D램에서는 극자외선(EUV) 기술을 적극 활용, 기술 및 시장을 선도할 계획이라고 밝혔다.

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삼성전자는 올해 10나노급 3세대(1z) D램에 EUV 공정을 세계 최초로 적용하면서 EUV 기반 차세대 D램 양산 능력을 끌어올리고 있다. 한 전무는 "사내 EUV 생태계를 갖추고 EUV 관련 팀을 꾸려 운영하고 있다"라고 말했따.

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삼성전자는 내년 D램과 낸드 시장이 올해보다 성장할 것으로 내다봤다. 내년 D램의 비트그로스(비트 단위 출하량 증가율)는 올해보다 10% 후반에서 20%, 낸드플래시는 30% 각각 성장할 것으로 예상했다.

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업계에서는 삼성전자가 내년에 공격적인 메모리 설비 투자에 나설 것으로 보고 있다. 내년 상반기에만 반도체 팹 한 개 규모에 맞먹는 12인치 웨이퍼 기준 월 10만장 이상을 투자할 것이란 관측이 나온다.

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한편 이번 포럼에는 한 전무 외에 박용인 시스템 LSI 사업부 부사장, 한승훈 파운드리사업부 전무 등 삼성전자 반도체 핵심 경영진이 나와 이미지 센서와 파운드리 사업에 대해 소개했다.

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강해령 기자 kang@etnews.com

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원문 : https://www.etnews.com/news/article.html?id=20201130000176

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